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赵毅传授课题组在14nm FinFET器件研讨方面获得紧张停顿

编辑:admin日期:2017-10-22 美高梅游戏登录中心:

 克日,信电学院、美高梅游戏中心赵毅传授课题组关于先辈工艺节点14nm鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的论文被2017 IEEE国际电子器件集会IEDM(International Electron Devices Meeting)接纳。该项任务应用皮秒级脉冲电流-电压扫描技能,间接实行研讨了14nm FinFET器件在开启和任务时的自热效应,及其对器件牢靠性的影响。IEDM是微电子范畴的顶级集会,有着60多年的汗青,在国际半导体技能界享有很高的学术位置和普遍影响。2017 IEDM集会将于12月2日至12月6日在美国旧金山召开。


为了进一步减少电子器件尺寸,半导体财产界在14nm中引入三维平面构造的鳍式场效应晶体管(FinFET)制造逻辑开关器件。差别于传统硅基器件所具有的精良的导热功能,这一特别构造会使晶体督工作时,沟道电流发生的热量不时积聚,器件任务温度降低,从而招致器件功能退步。在更为先辈的技能节点下,自热效应被以为是将来的10 nm、7/5 nm这些技能节点下的要害难点。赵毅传授课题组在自主搭开国际上最快的电学特性表征条理的根底上,运用皮秒级脉冲电流-电压扫描技能,乐成捕获了晶体管产热和散热的进程中漏极电流的变革,并评价了自热效应对电路中晶体管器件的热载流子注入效应的影响。这次论文被2017 IEEE IEDM接纳,标明课题组这几年在器件疾速测试技能以及先辈集成电路器件方面的深化研讨获得了肯定的结果,失掉了国际外偕行的承认和存眷。该论文的第一著作人为博士研讨生曲益明同窗。这也是赵毅传授课题组延续第二年在国际电子器件大会(IEDM)上发布论文,标记着课题组科研气力的提拔。
 
1.(a) 所搭建的电学特性表征条理
1.(b)所研讨的14 nm FinFET幅员
            
2. 仿真的FinFET开启后Fin中温度变革图3.实行的FinFET器件功能随差别散热的退步


 
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